Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BIN
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- Проиджоделх: Alliance Memory, Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BIN
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 2755
- Sku: AS4C512M8D3LB-10BIN
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Alliance Memory, Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR3L |
| Raзmerpmayti | 4 Гит |
| Органихая | 512M x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 933 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 20 млн |
| Napraheneee - posta | 1283 ЕГО 1,45 |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 78-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 78-FBGA (9x10,5) |
| Baзowый nomer prodikta | AS4C512 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Управо |
| Дрогин ИНЕНА | 1450-AS4C512M8D3LB-10BIN |
| Станодар | 220 |
SDRAM - DDR3L MEMEMA
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p