Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
FET FUONKSHINA | - |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5а (таблица) |
Rds on (max) @ id, vgs | 48mohm @ 5a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 1,3 Е @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 7NC @ 4,5 |
Взёр. | 645pf @ 15v |
Синла - МАКС | 2W (TA) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
Baзowый nomer prodikta | AO480 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AO4801TR |
Станодадж | 3000 |
MOSFET ARRAY 30V 5A (TA) 2W (TA) ПЕРЕВЕРНА