Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5а (таблица) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 2,5 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 47mohm @ 5a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 1,3 Е @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 17 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 12 В. |
Взёр. | 780 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2W (TA) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-й стоп |
PakeT / KORPUES | SC-74, SOT-457 |
Baзowый nomer prodikta | AO640 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AO6401TR |
Станодадж | 3000 |
P-Kanal 30- 5A (TA) 2W (TA) POWRхNOSTNOE