Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Прохл |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 600 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 1.3a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 9om @ 650 мА, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 8 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 160 pf @ 25 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 45 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 (DPAK) |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | AOD1 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 785-AOD1N60_001 |
Станодадж | 1 |
N-kanal 600-1,3A (TC) 45W (TC).