Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Amos5 ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 700 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 11a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 450 МОМ @ 2,3A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3,6 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1115 pf @ 100 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 125W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МООНТАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 (DPAK) |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | AOD45 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AOD450A70TR |
Станодадж | 2500 |
N-kanal 700- 11A (TC) 125W (TC), накануне.