Парметр | |
---|---|
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Amos5 ™ |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 700 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 11a (TC) |
Napraheneeceeeprivoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 450 МОМ @ 2,3A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3,6 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1115 pf @ 100 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 125W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 251А |
PakeT / KORPUES | До 251-3 лиды, Ипак |
Baзowый nomer prodikta | AOI450 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AOI450A70 |
Станодадж | 3500 |