Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Alphasgt ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 25a (ta), 60a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 6,1mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 30 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1480 pf @ 20 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 6,2 yt (ta), 52 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 251А |
PakeT / KORPUES | До 251-3 лиды, Ипак |
Baзowый nomer prodikta | AOI664 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AOI66406TR |
Станодадж | 2500 |
N-kanal 40-25а (Ta), 60a (tc) 6,2 yt (ta), 52 st (tc) чereз otwerstie of 251a