Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Alphasgt ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 80 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 18a (ta), 50a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 6,6mohm @ 18a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 48 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2420 PF @ 40 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 4,1 yt (ta), 54W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN-EP (3,3x3,3) |
PakeT / KORPUES | 8-powerwdfn |
Baзowый nomer prodikta | AONR628 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AONR62818TR |
Станодар | 3000 |
N-kanal 80 v 18a (ta), 50a (tc) 4,1 yt (ta), 54w (tc) poverхnostnoe krepleplenenee 8-dfn-ep (3,3x3,3)