Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 26.5a (TA), 60a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 5,5mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2.1 h @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 800 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 6,2W (TA), 31W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (5x6) |
PakeT / KORPUES | 8-powersmd, ploskie otwedonnina |
Baзowый nomer prodikta | Aons363 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AONS36346TR |
Станодадж | 3000 |
N-kanal 30- 26,5а (TA), 60a (Tc) 6,2 st (ta), 31w (tc) poverхnostnoe crepleneen 8-dfn (5x6)