Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Alphasgt ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 68a (ta), 310a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 8 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 0,95MOHM @ 20A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3,4 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 165 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 9700 pf @ 20 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 7,3 yt (ta), 215w (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (5x6) |
PakeT / KORPUES | 8-powersmd, ploskie otwedonnina |
Baзowый nomer prodikta | Aons664 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AONS66405TR |
Станодар | 3000 |
N-kanal 40- 68a (ta), 310a (tc) 7,3 т (ta), 215 st (tc) poverхnostnoe kreppleenee 8-dfn (5x6)