Парметр |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 100a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 6 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 3,6MOM @ 20A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3,6 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 95 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 5325 PF @ 50 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 215W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (5x6) |
PakeT / KORPUES | 8-powersmd, ploskie otwedonnina |
Baзowый nomer prodikta | Aons669 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 3000 |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Alphasgt ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
N-kanal 100 nmarna (tc) 215w (tc) poverхnostnoe krepleplenee 8-dfn (5x6)