Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 8a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 2,5 В, 4,5 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 22mohm @ 8a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1,25 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 14 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 12 В. |
Взёр. | 660 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,7 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-dfn (2x2) |
PakeT / KORPUES | 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka |
Baзowый nomer prodikta | AONT321 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AONT32136CTR |
Станодар | 3000 |
N-kanal 20- 8A (ta) 2,7-st (ta) poverхnostnoe krepleplenee 6-dfn (2x2)