Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Alphasgt ™ |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 57A (TA), 195a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 1,5mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 180 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 9985 PF @ 20 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 8,3 yt (ta), 272w (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МООНТАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
PakeT / KORPUES | 220-3 |
Baзowый nomer prodikta | AOT2140 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-AOT2140LTR |
Станодадж | 1000 |
N-kanal 40 v 57a (ta), 195a (tc) 8,3 yt (ta), 272 st (tc).