Vishay General Semiconductor - Diviodы gbl01e -e3/a
Брид -прхмо 1 феврал 100 v 3A gbl
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diviodы gbl01e -e3/a
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 8749
- Sku: GBL01E-E3/A.
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Дип | ОДИНАНАНА |
| Тела | Станода |
| Napraheneee - пик в | 100 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 3 а |
| На | 1 V @ 4 A |
| Ток - Обратна тебе | 5 мк -4 100 |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 4-SIP, GBL |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Герб |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-GBL01E-E3/A. |
| Станодар | 1 |
МОСТОВОВА