Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3

SIA915DJ-T4-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9063
  • Артикул: SIA915DJ-T4-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,7 А (Та), 4,5 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 87 мОм при 2,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 нк @ 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 275пФ при 15В
Мощность - Макс. 1,9 Вт (Та), 6,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи PowerPAK® SC-70-6 Двойной
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SC-70-6 Двойной
Базовый номер продукта СИА915
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В 3,7 А (Ta), 4,5 А (Tc) 1,9 Вт (Ta), 6,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SC-70-6 Dual