| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Ampleon USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 2,11 ~ 2,17 гг. |
| Прирост | 17,7db |
| В конце | 28 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 4,2 мка |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСА | 2,4 а |
| Питани - В.О. | 270 Вт |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | SOT-502B |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT502B |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Дрогин ИНЕНА | 1603 BLF8G22LS-270 |
| Станодадж | 1 |
RF MOSFET 28 V 2,4 A 2,11 ГГА ~ 2,17 ГГГА 17,7DB 270 Вт SOT502B
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740