| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Ampleon USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 2,7 -ggц ~ 3,1gц |
| Прирост | 13 дБ |
| В конце | 32 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 4 мка |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 400 май |
| Питани - В.О. | 400 Вт |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | SOT-502A |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT502A |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Дрогин ИНЕНА | 1603-BLS9G2731L-400 |
| Станодадж | 1 |
RF MOSFET 32 V 400 -мам 2,7 -е.
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740