ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Полевые транзисторы, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

АНБОН ПОЛУПРОВОДНИК (INT'L) LIMITED AS1M025120T

Н-КАНАЛЬНАЯ СИЛА КАРБИДА КРЕМНИЯ

  • Производитель: АНБОН СЕМИКОНДУКТОР (ИНТ'Л) ЛИМИТЕД
  • Номер производителя: АНБОН ПОЛУПРОВОДНИК (INT'L) LIMITED AS1M025120T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 30
  • Артикул: AS1M025120T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $39.5600

Дополнительная цена:$39.5600

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 4530-АС1М025120Т
Стандартный пакет 30
Производитель АНБОН СЕМИКОНДУКТОР (ИНТ'Л) ЛИМИТЕД
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 34 мОм при 50 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 15 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 195 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4200 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 370 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Н-канал 1200 В 65 А (Тс) 370 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4