Infineon Technologies BSM50GB170DN2HOSA1

БСМ50ГБ170ДН2ХОСА1

Производитель: Инфинеон Технологии
Номер производителя: Infineon Technologies BSM50GB170DN2HOSA1
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5587
Артикул: БСМ50ГБ170ДН2ХОСА1
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Устаревший
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1700 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	72 А
Мощность - Макс.	500 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,9 В при 15 В, 50 А
Входная емкость (Cies) при Vce	8 нФ @ 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Нет
Рабочая температура	150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	Модуль
Базовый номер продукта	БСМ50Г
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	10

Модуль IGBT Полумостовой модуль 1700 В 72 А 500 Вт Модуль для монтажа на кронштейн