Microsemi Corporation APT80SM120B - Microsemi Corporation FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Микросеми APT80SM120B

АПТ80СМ120Б

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Микросеми APT80SM120B
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9398
  • Артикул: АПТ80СМ120Б
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 55 мОм при 40 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 235 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 555 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247
Пакет/ключи ТО-247-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Н-канал 1200 В 80 А (Тс) 555 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247