Парметр |
Млн | OnSemi |
В припании | PowerTrench® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 1,8а |
Rds on (max) @ id, vgs | 170mohm @ 1,8a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 3,5NC @ 10V |
Взёр. | 190pf @ 15v |
Синла - МАКС | 700 м |
Raboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Supersot ™ -6 |
Baзowый nomer prodikta | FDC6506 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодар | 3000 |
MOSFET ARRAY 30 В 1,8A 700 мВЕР