| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Виаликоеникс |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Коунфигура | 4 P-KANAL |
| FET FUONKSHINA | - |
| Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) | 30 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 600 май |
| Rds on (max) @ id, vgs | 2OM @ 1A, 12V |
| Vgs (th) (max) @ id | 4,5 Е @ 1MA |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | - |
| Взёр. | 150pf @ 15v |
| Синла - МАКС | 2W |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| PakeT / KORPUES | - |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Baзowый nomer prodikta | VQ2001 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Верный | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 25 |
MOSFET Array 30 В 600 м.
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740