IXYS IXTD2N60P-1J

IXTD2N60P-1J

Производитель: ИКСИС
Номер производителя: IXYS IXTD2N60P-1J
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 4988
Артикул: IXTD2N60P-1J
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	ИКСИС
Ряд	ПоларХВ™
Упаковка	Масса
Статус продукта	Устаревший
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	2А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	5,1 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	7 нк @ 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	240 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	56 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Править
Пакет/ключи	Править
Базовый номер продукта	IXTD2N
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Н-канальный, 600 В, 2 А (Tc), 56 Вт (Tc), кристалл для поверхностного монтажа