Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BCN
AS4C512M8D3-12BCN
- Проиджоделх: Alliance Memory, Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BCN
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5097
- Sku: AS4C512M8D3-12BCN
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Alliance Memory, Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | ПРЕКРЕЙНОВ ДИГОВОЙ КЛЮЧ |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR3 |
| Raзmerpmayti | 4 Гит |
| Органихая | 512M x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 800 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 20 млн |
| Napraheneee - posta | 1425 ЕГО ~ 1575 a. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 78-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 78-FBGA (9x10,5) |
| Baзowый nomer prodikta | AS4C512 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Дрогин ИНЕНА | 1450-1106 |
| Станодадж | 220 |
SDRAM - DDR3 СПАМАЙТА IC 4GBITPARALELOH 800 м.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p