Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 13a (ta), 24a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 7,8mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,4 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1300 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,95 мкт (ТА), 35 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (5x6) |
PakeT / KORPUES | 8-powersmd, ploskie otwedonnina |
Baзowый nomer prodikta | AON62 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
N-kanal 30- 13A (TA), 24a (Tc) 1,95 st (TA), 35 vt (tc) poverхnoStnoe kreppleniee 8-dfn (5x6)