Vishay Siliconix SUD50N02-09P-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SUD50N02-09P-GE3

Vishay Силиконикс SUD50N02-09P-GE3

СУД50Н02-09П-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SUD50N02-09P-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2620
  • Артикул: СУД50Н02-09П-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 14 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1300 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 39,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта 50 долл. США
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
Н-канал 20 В 20 А (Та) 39,5 Вт (Тс) для поверхностного монтажа ТО-252

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.