| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | π-МОСИВ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 100 мА (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 2,5 В, 4 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 4 Ом при 10 мА, 4 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1,5 В @ 100 мкА |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 7,8 пФ при 3 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200 мВт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | S-Мини |
| Пакет/ключи | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 |
| Базовый номер продукта | ССМ3К15 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
N-канал 30 В 100 мА (Ta) 200 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа S-Mini