Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F,LF

ССМ3К15Ф,ЛФ

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F,LF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 72
  • Артикул: ССМ3К15Ф,ЛФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2300

Дополнительная цена:$0,2300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд π-МОСИВ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 Ом при 10 мА, 4 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 100 мкА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7,8 пФ при 3 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 200 мВт (Та)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования S-Мини
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Базовый номер продукта ССМ3К15
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 100 мА (Ta) 200 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа S-Mini