Микрочиповая технология JAN2N5793A
ЯН2Н5793А
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N5793A
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 4275
- Артикул: ЯН2Н5793А
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/495 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 НПН (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 600 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 900 мВ при 30 мА, 300 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 600мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-78-6 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-78-6 |
| Базовый номер продукта | 2N5793 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойная), 40 В, 600 мА, 600 мВт, сквозное отверстие ТО-78-6
