| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Винбонд |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR2 |
| Raзmerpmayti | 2 Гит |
| Органихая | 128m x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 333 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 450 с |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 84-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 84-WBGA (11x13) |
| Baзowый nomer prodikta | W972GG6 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0032 |
| Дрогин ИНЕНА | W972GG6JB3I |
| Станодар | 144 |
SDRAM - DDR2 СПАМЯТА IC 2GBIT Параллель 333 мг.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p