БД139

NPN -55°C~150°C TJ 100nA ICBO TO-225AA, TO-126-3, сквозное отверстие

Производитель: ОН Полупроводник
Номер производителя: БД139
Упаковка: ТО-225АА, ТО-126-3
Техническая спецификация:-
Запас: 130113
Артикул: 1807-BD139
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Статус жизненного цикла	УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 день назад)
Установить	Сквозное отверстие
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-225АА, ТО-126-3
Количество контактов	3
Поставщик пакета оборудования	ТО-225АА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	80В
Токосъемник (Ic) (Макс.)	1,5 А
hFEMin	25
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Масса
Опубликовано	2009 год
Статус детали	Устаревший
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Максимальная рабочая температура	150°С
Минимальная рабочая температура	-55°С
Напряжение — номинальный постоянный ток	80В
Максимальная рассеиваемая мощность	1,25 Вт
Текущий рейтинг	1,5 А
Базовый номер детали	БД139
Полярность	НПН
Конфигурация элемента	Одинокий
Мощность - Макс.	1,25 Вт
Тип транзистора	НПН
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	500мВ
Макс. ток коллектора	1,5 А
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	40 @ 150 мА 2 В
Ток-отсечка коллектора (макс.)	100на ИКБО
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	500 мВ при 50 мА, 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	80В
Базовое напряжение коллектора (VCBO)	80В
Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	5В
Статус RoHS	Не соответствует требованиям RoHS
Без свинца	Содержит свинец

BD139 Описание

ON Semiconductor BD139 BJTэтоNPN-транзисторследовательно, коллектор и эмиттер открываются (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и закрываются (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод. BD139 имеет значение усиления от 40 до 160, это значение устанавливает мощность транзистора.