NXP USA Inc. A3T21H455W23SR6
A3T21H455W23SR6
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. A3T21H455W23SR6
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9862
- Sku: A3T21H455W23SR6
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Активна |
| Тела | LDMOS |
| Коунфигура | Дон |
| ЧastoTA | 2,11 ggц ~ 2,2gц |
| Прирост | 15 дБ |
| В конце | 30 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 400 май |
| Питани - В.О. | 87 Вт |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | ACP-1230S-4L2S |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ACP-1230S-4L2S |
| Baзowый nomer prodikta | A3T21 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 935368316128 |
| Станодар | 150 |
RF MOSFET 30 В 400 мам 2,11-е ~ 2,2-е гол 15DB 87 Вт ACP-1230S-4L2S
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740