IXYS IXFP12N65X2M - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFP12N65X2M

IXFP12N65X2M

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFP12N65X2M
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2409
  • Артикул: IXFP12N65X2M
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.2300

Дополнительная цена:$4.2300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Ультра Х2
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 310 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1134 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 40 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования Изолированная вкладка ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка
Базовый номер продукта IXFP12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 650 В 12 А (Tc) 40 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220 Изолированная вкладка