| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Берррр |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИСИЛИТЕЛ | О том, как |
| Колист | 4 |
| Втипа | - |
| Степень | 0,8 В/мкс |
| Poluhith | 1 мг |
| Ток - | 4 NA |
| На | 20 мкв |
| Ток - Посткака | - |
| Ток - | 35 май |
| На | 4 |
| На | 36 |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 14 лейт |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.33.0001 |
| Станодадж | 1 |
Исьлителф в рамках 4-й.
Болх
- Analog Devices Inc. LT1213CS8
- Analog Devices Inc. LT1178ACN8
- Texas Instruments LM1875T/NOPB
- Texas Instruments LMC6484AIN/NOPB
- Analog Devices Inc. LT1357CN8
- Texas Instruments LF347N/PB
- Texas Instruments LF353N/NOPB
- Texas Instruments LF356N/NOPB
- Texas Instruments LM1458N/NOPB
- Texas Instruments LM301AN/NOPB
- Texas Instruments LM318N/NOPB
- Texas Instruments LM324N/PB
- Texas Instruments LM348N/PB
- Texas Instruments LM358N/NOPB
- Texas Instruments LM380N-8/NOPB