| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Берррр |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИСИЛИТЕЛ | Образеть |
| Колист | 1 |
| Втипа | - |
| Степень | 600 -мкс |
| Poluhith | 1,6 -е |
| Ток - | 10 мк |
| На | 350 мк |
| Ток - Посткака | 12.4ma |
| Ток - | 80 май |
| На | 13 |
| На | 13 |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
| Статус Ройс | Rohs |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.33.0001 |
| Станодар | 100 |
Исилителф в Абро-С. С.С.
Болх
- Analog Devices Inc. LT1213CS8
- Analog Devices Inc. LT1178ACN8
- Texas Instruments LM1875T/NOPB
- Texas Instruments LMC6484AIN/NOPB
- Analog Devices Inc. LT1357CN8
- Texas Instruments LF347N/PB
- Texas Instruments LF353N/NOPB
- Texas Instruments LF356N/NOPB
- Texas Instruments LM1458N/NOPB
- Texas Instruments LM301AN/NOPB
- Texas Instruments LM318N/NOPB
- Texas Instruments LM324N/PB
- Texas Instruments LM348N/PB
- Texas Instruments LM358N/NOPB
- Texas Instruments LM380N-8/NOPB