| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | Трентмос ™ |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 25 В |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 66a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 9mohm @ 10a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 2.15V @ 1MA |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 12,8 NC @ 4,5 |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 1414 PF @ 30 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 62,5 yt (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | LFPAK56, Power-So8 |
| PakeT / KORPUES | SC-100, SOT-669 |
| Baзowый nomer prodikta | PH90 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 1500 |
N-kanal 25 В 66a (Tc) 62,5 ste (Tc) поверхностное крепление Lfpak56, Power-So8
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740