Vishay General Semiconductor — подразделение диодов VS-GB55NA120UX — Vishay General Semiconductor — подразделение диодов IGBT — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GB55NA120UX

ВС-GB55NA120UX

  • Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
  • Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GB55NA120UX
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4757
  • Артикул: ВС-GB55NA120UX
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд ГЕКСФРЕД®
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ ДНЯО
Конфигурация Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 84 А
Мощность - Макс. 431 Вт
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50 мкА
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования СОТ-227
Базовый номер продукта ГБ55
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 160
Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 84 А, 431 Вт, крепление на шасси SOT-227