Cambridge Gan Devices CGD65B130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOM, DFN5X6.

Проиджоделх: Kembridжskie ustroйstva
NoMerPOIзVODITELEL: Cambridge Gan Devices CGD65B130S2-T13
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: CGD65B130S2-T13
Цenobraзovanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $6.7400

Эkst цena:$6.7400

Подрэбной

Парметр
Тела	Ganfet (intrid galkina)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	12a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	9 В, 20 В.
Rds on (max) @ id, vgs	182MOHM @ 900MA, 12 В
Vgs (th) (max) @ id	4,2 - @ 4,2 мая
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	2.3 NC @ 12 V
Vgs (mmaks)	+20, -1 В.
FET FUONKSHINA	О том, как
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (5x6)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000
Млн	Kembridжskie ustroйstva
В припании	Icegan ™
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	-

650-12а (Tc) poverхnoStnoe kreprepeneene 8-dfn (5x6)