Cambridge GaN Devices CGD65B130S2-T13

ГАН HEMT 650 В, 130 МОм, DFN5X6.

Производитель: Кембриджские устройства GaN
Номер производителя: Cambridge GaN Devices CGD65B130S2-T13
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4
Артикул: CGD65B130S2-T13
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.7400

Дополнительная цена:$6.7400

Подробности

Параметры
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	9В, 20В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	182 мОм при 900 мА, 12 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4,2 В при 4,2 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	2,3 НК при 12 В
ВГС (Макс)	+20В, -1В
Особенность левого транзистора	Измерение тока
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ДФН (5х6)
Пакет/ключи	8-PowerVDFN
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000
Производитель	Кембриджские устройства GaN
Ряд	ICEGaN™
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	-

650 В, 12 А (Tc), для внешнего монтажа 8-DFN (5х6)