| Параметры |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ЭСППЗУ |
| Технология | ЭСППЗУ |
| Размер | 2Кбит |
| Организация | 256 х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 10 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 5 мс |
| Напряжение питания | 2,5 В ~ 6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Базовый номер продукта | КАТ25C02 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0051 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Catalyst Semiconductor Inc. |
| Ряд | - |
ИС память EEPROM, 2 Кбит, SPI, 10 МГц, 8-SOIC