Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,14 -е |
Прирост | 15,8db |
В конце | 30 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,6 а |
Питани - В.О. | 50 st |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 2-Flatpack, FIN Leads, Flanged |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | H-37260-2 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Управо |
Htsus | 0000.00.0000 |
Дрогин ИНЕНА | SP000432156 |
Станодадж | 1 |
RF MOSFET 30 В 1,6 A 2,14-ggц 15,8db 50 th H-37260-2