Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 920 мг |
Прирост | 19.5db |
В конце | 48 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 860 май |
Питани - В.О. | 100 y |
Napraheneee - оинка | 105 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | OM-780-4L |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-780-4L |
Baзowый nomer prodikta | AFV09 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | 5A991G |
Htsus | 8541.29.0040 |
Дрогин ИНЕНА | 935322054528 |
Станодар | 250 |
RF MOSFET 48 V 860 мА 920 мг.