Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 1,8 мг ~ 600 лет |
Прирост | 27 ДБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 300 Вт |
Napraheneee - оинка | 133 В |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | До-270 млрд лет |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 270 WB-4 |
Baзowый nomer prodikta | MRFE6 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | 5A991G |
Htsus | 8541.29.0040 |
Станодар | 500 |
RF MOSFET 50- 100 мам 1,8 мг ~ 600 мг 27 дБ 300 шт.