Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Активна |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 1,03 -ggц |
Прирост | 20 дБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 150 май |
Питани - В.О. | 1000 вес |
Napraheneee - оинка | 110 |
PakeT / KORPUES | NI-1230-4S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4S |
Baзowый nomer prodikta | MMRF1007 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935320316178 |
Станодар | 50 |
RF MOSFET 50 В 150 мам 1,03-й герб 20 дБ 1000.