Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Прохл |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1,03 -ggц |
Прирост | 20.3db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 275 Вт |
Napraheneee - оинка | 100 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-957A |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780H-2L |
Baзowый nomer prodikta | MMRF1008 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 50 |