NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3

А2Т18С262В12НР3

Производитель: NXP США Инк.
Номер производителя: NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5109
Артикул: А2Т18С262В12НР3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	NXP США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Технология	ЛДМОС
Частота	1,805–1,88 ГГц
Прирост	19,3 дБ
Напряжение – Тест	28 В
Текущий рейтинг (А)	10 мкА
Коэффициент шума	-
Текущий — Тест	1,6 А
Мощность — Выход	231 Вт
Напряжение - номинальное	65 В
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	ОМ-880Х-2Л2Л
Поставщик пакета оборудования	ОМ-880Х-2Л2Л
Базовый номер продукта	А2Т18
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0075
Стандартный пакет	250

RF Mosfet 28 В 1,6 А 1,805–1,88 ГГц 19,3 дБ 231 Вт OM-880X-2L2L