Central Semiconductor Corp CP375-CWDM3011N-CT

MOSPET N-CH 11A 30 Е.

Проиджоделх: Central Semiconductor Corp
NoMerPOIзVODITELEL: Central Semiconductor Corp CP375-CWDM3011N-CT
Епаково: Поднос
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9894
Sku: CP375-CWDM3011N-CT
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	860 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Умират
PakeT / KORPUES	Умират
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0040
Дрогин ИНЕНА	1514-CP375-CWDM3011N-CT
Станодадж	340
Млн	Central Semiconductor Corp
В приземлении	-
Упако	Поднос
Степень Продукта	Управо
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	11a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	20mohm @ 11a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	6,3 NC @ 5 V

N-kanall 30 a11a (tat) 2,5 yt