| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-NAND (SLC) |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 512М х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Базовый номер продукта | MT29F4G08 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
FLASH-NAND (SLC) ИС память 4 Гбит с параллельным кристаллом