| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-НЕ-НЕ |
| Размер | 1Гбит |
| Организация | 128М х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Базовый номер продукта | MT29F1G08 |
| ECCN | УСТАРЕВШИЙ |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
FLASH-ИС память NAND, 1 Гбит, параллельный кристалл