| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR3L |
| Размер | 2Гбит |
| Организация | 128М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,283 В ~ 1,45 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Базовый номер продукта | МТ41К128М16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
SDRAM — микросхема памяти DDR3L, 2 Гбит, параллельная