Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR - Память Micron Technology Inc. - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

  • Производитель: Микрон Технология Инк.
  • Номер производителя: Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6837
  • Артикул: MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрон Технология Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип Неустойчивый
Формат памяти ДРАМ
Технология SDRAM — мобильный LPDDR4
Размер 32Гбит
Организация 512М х 64
Интерфейс памяти -
Тактовая частота 2133 ГГц
Время цикла записи — Word, Page -
Напряжение питания 1,1 В
Рабочая температура -30°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 556-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования 556-ВФБГА (12,4х12,4)
Базовый номер продукта МТ53Д512
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.32.0036
Стандартный пакет 2000 г.
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR4, 32 Гбит, 2,133 ГГц, 556-WFBGA (12,4x12,4)