Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
- Производитель: Микрон Технология Инк.
- Номер производителя: Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация:-
- Запас: 2147
- Артикул: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4 |
| Размер | 32Гбит |
| Организация | 512М х 64 |
| Интерфейс памяти | - |
| Тактовая частота | 2133 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,1 В |
| Рабочая температура | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Базовый номер продукта | МТ53Д512 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — интегральная схема мобильной памяти LPDDR4, 32 Гбит, 2133 ГГц
Больше продуктов
- онсеми MM74C89N
- онсеми MM74C910N
- Analog Devices Inc./Maxim Integrated MXD1210CSA
- онсеми NMC27C64N200
- онсеми 74F189PC
- онсеми 74F219PC
- онсеми NMC27C64Q150
- Микрочиповая технология 93LC56/P
- Микрочиповая технология 93LC56/SN
- Микрочиповая технология 93AA46/SN
- Технология микрочипа 24C65/P
- Технология микрочипа 93LC66/P
- Микрочиповая технология 93LC66/SN
- Микрочиповая технология 93AA56/SN
- Микрочиповая технология 93LC46/P